كشفت شركة “IBM”، الجمعة 7 مايو/أيار الجاري، النقاب عن تقنية جديدة لصنع رقائق إلكترونية بسمك 2 نانومتر؛ مما يضع معياراً جديداً لصناعة أشباه الموصلات.
يمكن أن يتسع التصميم الجديد لما يصل إلى 50 مليار ترانزستور على شريحة بحجم الظفر، والذي يقول عنه “داريو جيل”، نائب الرئيس الأول ومدير أبحاث “IBM”: “إنه ضروري لصناعة أشباه الموصلات وتكنولوجيا المعلومات بأكملها”.
تدعي “IBM” أن التصميم الجديد يمكنه تحقيق أداء عالٍ بنسبة 45%، واستخدام أقل للطاقة بنسبة 75% مقارنةً بالرقائق التي تستخدم اليوم.
في الاستخدام الواقعي قد يعني ذلك مضاعفة عمر بطارية في الهاتف الخلوي أربع مرات، الأمر الذي يتطلب شحناً كل أربعة أيام فقط، وتسريع اكتشاف الأشياء في السيارات ذاتية القيادة، وتحسين سرعة وكفاءة أجهزة الكمبيوتر المحمولة.
تمكنت “IBM” من تحقيق هذه العملية الجديدة من خلال استخدام “أوراق النانو المكدسة”، مما يساعد على تجاوز عملية التصنيع النموذجية.
لدى “IBM” عدد من الشراكات الاستراتيجية في مجال صناعة الرقائق؛ في عام 2014 وقعت الشركة اتفاقية تصنيع لمدة 10 سنوات مع “GlobalFoundries” ومقرها نيويورك، وفي الآونة الأخيرة أعلنت “IBM” شراكات مع “سامسونغ” و”إنتل”.
